Ласкаво просимо!

Ми раді вітати Вас на нашому сайті. Надіємось, що Ви знайдете і дізнаєтесь багато цікавого і корисного про мобільні телефони

Главная

Память телефона

Для хранения переменных данных, поступающих из микросхемы EGOLD+, предназначена микросхема SRAM-памяти D250. Ее основные данные:

• объем памяти — 4 Мбит;
• разрядность шины данных — 16-битная;
• время доступа — 70 мкс.

Питание SRAM-памяти осуществляется от стабилизатора напряжения 2,07 В в составе AS 1C. Процесс обмена данными и работа SRAM-памяти контролируется микросхемой EGOLD+. Ее принципиальная схема приведена на рис. 4.41.
Постоянные данные, которые при необходимости могут быть стерты, а память перепрограммирована (например, обновление версии программного обеспечения телефона), хранятся в микросхемах Flash-памяти D200, D201. Также в ней хранятся пользовательские данные, записываемые через систему меню телефона, речевые данные, данные о модели телефона и серийный номер.
Siemens-149.jpg
Рис. 4.41. Принципиальная схема БКАМ-памяти

Основные данные памяти:

• объем — 48 Мбит (32 + 16 Мбит);
• разрядность шины данных — 16-битная;
• время доступа — 70 не (для 32 Мбит), 90 не (для 16 Мбит);
• загрузочный блок — верхний.
Принципиальная схема РІаБІї-иамяти показана на рис. 4.42.
Siemens-150.jpg

Партнеры сайта

Опитування

Який вид контенту Ви хотіли б більше бачити на нашому сайті? :